微波等離子去膠機(jī)是在（RIE）反應(yīng)離子刻蝕機(jī)的基礎(chǔ)上簡(jiǎn)化改進(jìn)而來(lái)，為小型等離子去膠機(jī)，具有體積小，性能優(yōu)良、用途多、工藝速率高、均勻性及重復(fù)性好、價(jià)格低、使用方便等特點(diǎn)。是各電子器件企業(yè)及科研單位、大專(zhuān)院校的機(jī)型。適合于微電子制作工藝中光刻膠的去膠工藝，同時(shí)有RIE刻蝕功能，可以刻蝕Si、SiO2、SiN。

　　微波等離子去膠機(jī)在清洗中，影響清洗效率的參數(shù)主要有以下幾個(gè)方面：

　?。?）放電氣壓：對(duì)于低壓等離子體，放電氣壓增加，等離子體密度越高，電子溫度隨之降低。而等離子體的清洗效果取決于其密度和電子溫度兩個(gè)方面，如密度越高清洗速率越快、電子溫度越高清洗效果越好。因此，放電氣壓的選擇對(duì)低壓等離子體清洗工藝至關(guān)重要。

　?。?）氣體種類(lèi)：待處理物件的基材及其表面污染物具有多樣性，而不同氣體放電所產(chǎn)生的等離子體清洗速度和清洗效果又相差甚遠(yuǎn)。因此應(yīng)該有針對(duì)性地選擇等離子體的工作氣體，如可選用氧氣等離子體去除物體表面的的油脂污垢，選用氫氬混合氣體等離子體去除氧化層。

　?。?）放電功率：放電功率增大，可以增加等離子體的密度和活性粒子能量，因而提高清洗效果。例如，氧氣等離子體的密度受放電功率的影響較大。

　　（4）暴露時(shí)間：待清洗材料在等離子體中的暴露時(shí)間對(duì)其表面清洗效果及等離子體工作效率有很大影響。暴露時(shí)間越長(zhǎng)清洗效果相對(duì)越好，但工作效率降低。并且，過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的清洗可能會(huì)對(duì)材料表面產(chǎn)生損傷。

　　（5）傳動(dòng)速度：對(duì)于常壓等離子體清洗工藝，處理大物件時(shí)會(huì)涉及連續(xù)傳動(dòng)問(wèn)題。因此待清洗物件與電極的相對(duì)移動(dòng)速度越慢，處理效果越好，但速度過(guò)慢一方面影響工作效率，另一方面也可能造成處理時(shí)間過(guò)長(zhǎng)產(chǎn)生材料表面損傷。