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  • NRE-4000(ICPA)全自動(dòng)ICP刻蝕系統(tǒng)
    NRE-4000(ICPA)全自動(dòng)ICP刻蝕系統(tǒng)

    NRE-4000(ICPA)全自動(dòng)ICP刻蝕系統(tǒng):自動(dòng)上下載片,帶ICP等離子源和偏壓樣品臺(tái)的高速刻蝕系統(tǒng),系統(tǒng)可以達(dá)到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果。可實(shí)現(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝,包括刻蝕III-V化合物(如GaAs,InP,GaN,InSb)、II-VI化合物、介質(zhì)材料、玻璃、石英、金屬,以及硅和硅的化合物(如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe)等。

    更新時(shí)間:2017-03-03型號(hào):瀏覽量:1189
  • NDR-4000(M)DRIE深反應(yīng)離子刻蝕
    NDR-4000(M)DRIE深反應(yīng)離子刻蝕

    NDR-4000(M)DRIE深反應(yīng)離子刻蝕:是帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺(tái)的深硅刻蝕系統(tǒng),帶8“ ICP源。系統(tǒng)配套500L/S抽速的渦輪分子泵,可以使得工藝壓力達(dá)到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下,系統(tǒng)可以達(dá)到硅片的高深寬比刻蝕。

    更新時(shí)間:2017-03-03型號(hào):瀏覽量:1491
  • NDR-4000(A)全自動(dòng)DRIE深反應(yīng)離子刻蝕
    NDR-4000(A)全自動(dòng)DRIE深反應(yīng)離子刻蝕

    NDR-4000(A)全自動(dòng)DRIE深反應(yīng)離子刻蝕:全自動(dòng)上下載片,帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺(tái)的深硅刻蝕系統(tǒng),帶8“ ICP源。系統(tǒng)配套500L/S抽速的渦輪分子泵,可以使得工藝壓力達(dá)到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下,系統(tǒng)可以達(dá)到硅片的高深寬比刻蝕。

    更新時(shí)間:2017-03-03型號(hào):瀏覽量:985
  • NRE-4000(ICPM)ICP刻蝕系統(tǒng)
    NRE-4000(ICPM)ICP刻蝕系統(tǒng)

    NRE-4000(ICPM)ICP刻蝕系統(tǒng):是帶ICP等離子源和偏壓樣品臺(tái)的高速刻蝕系統(tǒng),系統(tǒng)可以達(dá)到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果??蓪?shí)現(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝,包括刻蝕III-V化合物(如GaAs,InP,GaN,InSb)、II-VI化合物、介質(zhì)材料、玻璃、石英、金屬,以及硅和硅的化合物(如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe)等。

    更新時(shí)間:2017-03-03型號(hào):瀏覽量:1103
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